功率半导体是电子装置电能转换与电路控制的核心,是汽车电动化关键所在。SiC MOSFET作为新能源汽车下一代功率半导体核心器件,其超低的开关及导通损耗、超高的工作结温等特性,可实现逆变器损耗降低75%以上,EV行驶里程提升5%以上。
M1模块可进一步提升新能源汽车主驱逆变器的功率密度,其专为宽禁带器件(如SiC Mosfet)在主驱逆变器应用而设计,是面向未来的新能源汽车所需要的功率模块解决方案,可以满足逆变器800V电压平台,180kW以上的功率等级要求。M1模块能让新能源汽车具有极强的瞬态爆发力和持久的续航能力。
中科意创为整车厂及一级供应商的碳化硅电驱系统,开发推出的1200V碳化硅功率模块,采用业界领先且成熟的车规级碳化硅功率晶圆,业内前沿的银烧结工艺及碳化硅芯片上层铜互连技术、大面积模封工艺及直接水冷技术,通过AQG324汽车功率模块测试,满足EV/HEV高功率密度、高可靠性,高压化电驱要求,实现更高输出功率及充电能力。