功率半导体是电子装置电能转换与电路控制的核心，是汽车电动化关键所在。SiCMOSFET作为新能源汽车下一代功率半导体核心器件，其超低的开关及导通损耗、超高的工作结温等特性，可实现逆变器损耗降低75%以上，EV行驶里程提升5%以上。
功率半导体是电子装置电能转换与电路控制的核心，是汽车电动化关键所在。SiCMOSFET作为新能源汽车下一代功率半导体核心器件，其超低的开关及导通损耗、超高的工作结温等特性，可实现逆变器损耗降低75%以上，EV行驶里程提升5%以上。
H1模块专为提升新能源汽车主驱逆变器转换效率而设计，具有功率密度高、散热优良、可靠性高等特点。驱动电路板可安装在模块顶部，与模块驱动端子互连，实现更低的驱动回路杂散参数，在宽禁带器件SiCMosfet的加持下，系统可实现更低功率损耗，更高功率密度，更高工作频率，更高工作温度，更低EMI，从而实现更小系统尺寸，降低系统成本，提升续航里程。
超紧凑型双向MOS模块，可用于断开12/48V电池组。现有主流设计为外挂式继电器或者8-12颗分立MOS管。MOS模块可以在充电和放电过程都保护电路，防止过充或者过放；MOS模块连接在铜基板上，铜基板同时充当高载流母线和热导体，实现有效的散热。
